RDS(on), bir MOSFET tam iletimdeyken drain ve source uçları arasında görünen dirençtir. Miliohm (mΩ) cinsinden verilir ve MOSFET seçiminde en kritik değerdir.
Bu direnç üzerinde harcanan güç P = I² × RDS(on) formülüyle hesaplanır ve doğrudan ısıya dönüşür. 10 A akım taşıyan 50 mΩ bir MOSFET 5 W ısı üretir; aynı akımda 5 mΩ olan yalnızca 0,5 W üretir.
Bu yüzden yüksek akımlı uygulamalarda mümkün olan en düşük RDS(on) değerine sahip model seçilir. Değer, gate gerilimine bağlı olarak değişir ve datasheet’te farklı Vgs değerleri için ayrı ayrı verilir.
Terim listesine dön: Sözlük