Schottky diyot, metal-yarı iletken birleşimi kullanan ve normal silisyum diyottan iki belirgin farkı olan bileşendir.
İlk fark ileri gerilim düşümüdür: 0,7 V yerine yaklaşık 0,3 V. Bu, düşük gerilimli devrelerde ve yüksek akımda önemli verim kazancı sağlar. İkinci fark çok hızlı anahtarlamasıdır.
Anahtarlamalı güç kaynaklarında, ters kutup korumasında ve solar panel devrelerinde tercih edilir. Dezavantajı, ters yöndeki kaçak akımının normal diyoda göre yüksek olması ve ters gerilim dayanımının sınırlı kalmasıdır.
Terim listesine dön: Sözlük